一、基本情况
王岛，男，海南海口人。现任琼台师范学院理学院讲师，海南省高层次E类人才。2021年12月毕业于华南师范大学微电子学与固体电子学专业，获工学博士学位；2022年2月入职琼台师范学院理学院从事教学与科研工作。
二、教学方面
主讲大学物理、基础物理学、自然科学基础(一)、大学物理实验、基础物理实验等课程。
三、科研方面
研究方向：新型HfO2基铁电薄膜材料的铁电性起源、调控及其相关机理研究；基于HfO2基铁电薄膜材料的场效应晶体管研究。
科研项目：主持海南省自然科学基金(青年项目)1项，琼台师范学院校级基金1项。
代表性论文：
[1] D. Wang, Y. Zhang, J. L. Wang, et al., Enhanced ferroelectric polarization with less wake-up effect and improved endurance of Hf0.5Zr0.5O2 thin films by implementing W electrode [J]. Journal of Materials Science & Technology, 104(30): 1-7 (2022).
[2] D. Wang, Y. Zhang, Y. B. Guo, et al., Impact of annealing temperature on the ferroelectric properties of W/Hf0.5Zr0.5O2/W capacitor [J] Chinese Physics B, 32: 097701-097701-6 (2023).
[3] D. Wang, J. L. Wang, Q. Li, et al., Stable ferroelectric properties of Hf0.5Zr0.5O2 thin films within a broad working temperature range [J]. Japanese Journal of Applied Physics, 58(9): 090910-090910-5 (2019).
[4] Y. Zhang, D. Wang, J. L. Wang et al., Growth of the orthorhombic phase and inhibition of charge injection in ferroelectric HfO2-based MFIS memory devices with a high-permittivity dielectric seed layer [J]. Science China Materials, 66: 219-232 (2023).
[5] Y. Zhang, D. Wang, C. L. Luo et al., Controllable coercive field of ferroelectric HfO2 films via UV-Ozone surface modification [J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 69(6): 3094-3099 (2022).
